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英諾賽科IC芯片產(chǎn)品選型手冊代理商-聚泉鑫
英諾賽科IC芯片產(chǎn)品選型手冊PDF文檔：
InnoGaN電源應(yīng)用技術(shù)(1)(1).pdf英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由眾多資深的國際一流半導(dǎo)體專家組成，我們相信GaN可以改變世界，我們的目標(biāo)是以更低的價(jià)格，向客戶提供品質(zhì)一流、可靠性優(yōu)異的GaN器件，并且實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)在市場的廣泛應(yīng)用。
英諾賽科的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由半導(dǎo)體和（電力）電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領(lǐng)先公司，在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力，并更加順利地推廣產(chǎn)品，英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家，用于進(jìn)行面向特殊應(yīng)用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科（Innoscience）創(chuàng)立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產(chǎn)基地。
公司成立之初，英諾賽科的創(chuàng)始人就深知，如果想實(shí)現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場上的廣泛應(yīng)用，產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進(jìn)行大規(guī)模推廣，還需要解決另外三個(gè)痛點(diǎn)：首先是成本，具備合理的價(jià)格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應(yīng)對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng)，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。因此，Innoscience 明白，只有擴(kuò)大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進(jìn)行大規(guī)模推廣的三個(gè)痛點(diǎn)（價(jià)格、數(shù)量和供應(yīng)安全）。
從一開始，英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時(shí)，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗(yàn)和優(yōu)化措施應(yīng)用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天，英諾賽科已實(shí)現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用最先進(jìn)的8英寸生產(chǎn)工藝，是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達(dá)到每月10000片，并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就，離不開招銀國際、SK、ARM和CATL等世界級投資方的支持。
開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）面向各種應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件。同時(shí)，因?yàn)槲覀儞碛写笠?guī)模量產(chǎn)能力、采用8英寸先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，所以在產(chǎn)能、器件性能、可靠性、工藝穩(wěn)定性及價(jià)格合理性都具有顯著的競爭優(yōu)勢。我們與眾多客戶和合作伙伴攜手致力于氮化鎵技術(shù)相關(guān)系統(tǒng)和解決方案的開發(fā)。
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