掃二維碼與項(xiàng)目經(jīng)理溝通
我們?cè)谖⑿派?4小時(shí)期待你的聲音
解答本文疑問(wèn)/技術(shù)咨詢/運(yùn)營(yíng)咨詢/技術(shù)建議/互聯(lián)網(wǎng)交流
什么是氮化鎵GaN，氮化鎵GaN有哪些優(yōu)勢(shì)？
2023-02-17 15:29 氮化鎵GaN有哪些優(yōu)勢(shì)？ 什么是氮化鎵GaN？ 瀏覽次數(shù)：（）
氮化鎵GaN
什么是氮化鎵GaN？ 氮化鎵GaN是一種新型半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體核心材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性。采用GaN氮化鎵元件，充電器不僅僅可以做到體積小和重量輕，在發(fā)熱量和效率轉(zhuǎn)換上相比舊款充電器也更具優(yōu)勢(shì)。 氮化鎵GaN有哪些優(yōu)勢(shì)？ 目前大部分電子元器件的基礎(chǔ)材料是硅Si，在電子行業(yè)中，硅Si是非常重要的一種基礎(chǔ)材料。但是隨著硅極限被逐步逼近，基本上現(xiàn)在硅的開發(fā)已經(jīng)達(dá)到了瓶頸，許多產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開始努力尋找更合適的替代品，而氮化鎵GaN就是這樣進(jìn)入到了人們眼中。  （1）相對(duì)硅而言，氮化鎵GaN擁有更寬的帶隙，寬帶隙也就意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力。 簡(jiǎn)而言之兩種材料在相同體積下，氮化鎵GaN比硅的效率高出不少。 如果氮化鎵GaN替換現(xiàn)在所有電子設(shè)備，可能會(huì)讓電子產(chǎn)品的用電量再減少10%或者25%。 （2）氮化鎵GaN能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力。 這意味著，在許多電源管理產(chǎn)品中，氮化鎵是更強(qiáng)的存在。 應(yīng)用層面，采用氮化鎵做充電器的話能夠?qū)崿F(xiàn)更快充電更小體積。采用氮化鎵GaN基材的快充充電器比硅基材料的普通充電器，體積能夠縮小40%左右。 （3）氮化鎵GaN能比硅擁有更好的散熱能力。能夠?qū)崿F(xiàn)充電器充電全程低溫。 氮化鎵GaN充電器由于有GaN（氮化鎵）加持，發(fā)熱低，散熱快，可在常溫環(huán)境下連續(xù)工作1000小時(shí)以上安全無(wú)損傷。不會(huì)出現(xiàn)由于受到充電器發(fā)熱影響，效率明顯下降的情況！ 基于氮化鎵GaN材料設(shè)計(jì)的充電器，對(duì)于用戶而言，最直接的好處是，能夠擁有一個(gè)體積更小、重量更輕、發(fā)熱量更低、充電速度更快、并且能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定輸出充電的快充充電器產(chǎn)品！ |
鄭重申明：聚泉鑫以外的任何單位或個(gè)人，不得使用該案例作為工作成功展示！
- 方案案例
- 消費(fèi)類方案
- 工業(yè)類方案
- 家電類方案
- 聯(lián)系我們
- 電話：0755-23115658
- 手機(jī)：188 2525 5157
- 郵箱：lin@szjuquan.com
- 地址：深圳市龍華區(qū)清龍路6號(hào)港之龍科技園科技大廈（H棟）11樓B區(qū)
微信公眾號(hào)
抖音官方號(hào)
Copyright ? 2022-2032 深圳市聚泉鑫科技有限公司 版權(quán)所有 備案號(hào)：粵ICP備19083333號(hào)-2
粵公網(wǎng)安備 44030902003772號(hào)