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英諾賽科INN650D02智能小巧大功率GaN氮化鎵方案240W

2023-09-09 16:14      英諾賽科INN650D02   智能小巧大功率GaN氮化鎵方案240W    瀏覽次數(shù):(

GaN氮化鎵功率芯片憑借高頻、高效、高耐壓等特性在快充領(lǐng)域大放異彩,但截至目前來看,還主要集中在30W-100W功率段,因此很多功率較低的輕薄筆記本能夠享受到此波紅利,而很多功率較大的游戲筆記本電腦、視頻剪輯、圖片制作等工作用筆記本就很難運用的上了,相信隨著GaN氮化鎵功率芯片不斷發(fā)展,基于GaN氮化鎵設(shè)計的電源適配器的功率會越來越大。

        近期安述智能推出的一款240W氮化鎵+碳化硅適配器,這么大的輸出功率不僅可以喂飽目前市面上絕大多數(shù)游戲本、工作本,而且這么大功率下機身尺寸僅為103*72*29mm,功率密度達到1.12W/cm3,比常見的氮化鎵適配器功率密度更大,是名副其實的小巧大功率GaN氮化鎵適配器方案240W。

英諾賽科INN650D02智能小巧大功率GaN氮化鎵方案240W
安述智能小巧大功率GaN氮化鎵適配器參數(shù):

(1)型號:AS-240W
(2)輸入:100-240V~50/60HZ 2.6A
(3)輸出:19.5V12.3A
(4)制造商:深圳市安述智能科技有限公司

(5)充電器已經(jīng)通過了CE、FCC和RoHS認證。

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        通過拆解此款安述智能小巧大功率GaN氮化鎵適配器方案240W發(fā)現(xiàn)非常有意思的一點,PFC升壓開關(guān)管采用兩顆英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片,LLC開關(guān)電源的兩顆高壓開關(guān)MOS管也是采用的英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片。

        INN650D02 “InnoGaN”開關(guān)管高頻特性好,且導通電阻小,適合高頻高效的開關(guān)電源應用,采用DFN8*8封裝,具備超低熱阻,散熱性能好,適合高功率密度的開關(guān)電源應用。

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        英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片,額定耐壓為650V,峰值耐壓750V,導阻低至0.2Ω,符合JEDEC標準的工業(yè)應用要求,支持ESD保護,支持開爾文源極。最高工作溫度150℃。


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