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英諾賽科30W Gan快充方案體積小、成本低并且效率高
英諾賽科30W Gan快充方案基于InnoGaN系列第二代產品INN650DA04打造，具備高頻高效、極低損耗、快速主動散熱等特點，能夠做到體積小、成本低并且效率提升9%
（一）英諾賽科30W Gan快充方案效率提升9%，穩(wěn)定性更強
基于英諾賽科高頻高效的特性，30W氮化鎵方案效率得到了質的飛躍，與市面上主流的Si MOS方案相比，在90V輸入條件下效率可提升9%。不僅達到了節(jié)能效果，還可以減小損耗，大大降低外殼溫升，安全性更高、穩(wěn)定性更強。
（二）英諾賽科30W Gan快充方案極簡設計，性價比更高
英諾賽科30W Gan快充方案快充的高頻特性，在實現高效率和小尺寸方面，明顯優(yōu)于Si MOS。由于GaN的效率足夠高，可以節(jié)省熱片設計，從而實現小尺寸高效率的緊湊型適配器設計，通過更好地控制內部溫升，以及GaN相對Si更強的抗高溫特性，搭配簡潔的設計和布局，大大降低了系統成本與加工成本。
英諾賽科不但擁有自己的8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線，而且有及先進的研發(fā)品控分析能力，使得InnoGaN系列的整體性能、成本、產能均得到很好的把控。此次利用GaN氮化鎵技術重點打造高頻高效、高性價比的30W Gan快充方案將再次引爆今年的快充充電器市場。
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