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33W PD快充方案SP8666E+SP6519F測試報告
聚泉鑫為大家搭建推薦搭配了一款33W的PD快充方案利用硅動力SP8666E+SP6519F實現，具體的測試報告如下：
SP8666E+SP6519F 33W DEMO 測試報告 (2022-06-02).pdf
SP8666E 是一顆高性能、多工作模式的 PWM集成芯片。芯片可以工作在跳頻及綠色模式，以此來減小空載和輕載時的損耗,也可以工作在 OR工作模式及 CCM 工作模式，提高整機的工作效率。
SP8666E 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。
SP8666E 內置多種保護，包括:輸入電壓過低保護(Brown-out)，輸入電壓過高保護(Line-ovp)，輸出電壓過壓保護(VO OVP)輸出二極管短路保護，逐周期過流保護(OCP)過載保護(OLP)，VDD 過壓保護(OVP)，VDD欠壓保護(UVLO)，過溫保護(OTP)等。SP8666E 采用 ESOP-6 封裝
SP6519F 是一顆高性能的開關電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開關電源應用中，輕松滿足6級能效，是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達 150kHZ的開關頻率應用，并且支持 CCM/OR/DCM等開關電源工作模式應用，其極低導通壓降產生的損耗遠小于肖特基二極管的導通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉換效率,大幅降低了整流器件的溫度。芯片內置耐壓 100V的NMOSFET 同步整流開關，且具有極低的內阻，典型 RdsON 低至 10m2，可提供系統(tǒng)高達 3A 的應用輸出:還內置了高壓直接檢測技術，耐壓高達 200V:以及自供電技術極大擴展了輸出電壓應用范圍。
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