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英諾賽科INN650D02808BS增強(qiáng)功率晶體管GaN

2023-06-16 16:39      英諾賽科INN650D02808BS   增強(qiáng)功率晶體管GaN    瀏覽次數(shù):(806)

一、一般說明

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,采用雙扁平低引腳封裝(DFN),尺寸為8mmx8mm


二、特征

增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)

超高開關(guān)頻率

無反向恢復(fù)收費(fèi)

低柵極電荷,低輸出電荷

符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用

靜電防護(hù)

RoHS指令不含鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)


三、應(yīng)用程序

交直流變換器

直流一直流轉(zhuǎn)換器

BCM/DCM圖騰桿PFC

電池快速充電

高密度功率轉(zhuǎn)換

高效率的功率轉(zhuǎn)換

英諾賽科INN650D02808BS增強(qiáng)功率晶體管GaN

英諾賽科INN650D02808BS增強(qiáng)功率晶體管GaN:INN650D080BS_Datasheet_Rev1.0.pdf


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