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一、概述
SP6645HF 是一顆電流模式 PWM 控制芯片,內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET,應(yīng)用于功率在 13W以?xún)?nèi)的方案。SP6645HF 在 PWM 模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率,這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí),工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式,以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗,提高整機(jī)的工作效率。SP6645HE 在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流,可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電陽(yáng),以此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。
芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路,當(dāng)電路工作于大占空比時(shí),避免次諧波振蕩的發(fā)生,改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)(Leading-edge blanking time),消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的極管反向恢復(fù)申流對(duì)電路的影響。SP6645HE 采用了抖頻技術(shù),能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上,在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6645HF 內(nèi)置多種保護(hù),包括逐周期限流保護(hù)(OCP),過(guò)載保護(hù)(OLP),過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP),VDD 過(guò)壓位,欠壓保護(hù)(UVLO,過(guò)溫保護(hù)(OTP)等,通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的 EMI 特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控垂。
二、特點(diǎn)
全電壓范圍 (90Vac-265Vac) 輸入時(shí)待機(jī)功耗小于 75mw
內(nèi)置 650V 高壓功率管
4ms 軟啟動(dòng)用來(lái)減少 MOSFET 上 Vds 的應(yīng)力
抖頻功能,改善 EMI 性能
跳頻模式,改善輕載效率,減小待機(jī)功耗
無(wú)噪聲工作
固定 65KHz 開(kāi)關(guān)頻率
內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
低啟動(dòng)電流,低工作電流
內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能過(guò)載保護(hù) (OLP),逐周期限流保護(hù) (OCP)
VDD 過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP),欠壓保護(hù)(UVLO,VDD 電壓位過(guò)溫保護(hù)(OTP)
SOP8 無(wú)鉛封裝
三、應(yīng)用范圍
充電器
PDA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)電源適配器
機(jī)頂盒電源
開(kāi)放框架式開(kāi)關(guān)電源
個(gè)人電腦輔助電源
硅動(dòng)力SP6645HF同步整流器芯片IC控制電路PDF文件:SP6645HF_V1.0 CN.pdf
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